ion-implantation相关论文
Nano-structurally modified inorganic chalcogenide glasses (As2S3 and Ge15.8As21S63.2) by high-energy 1.25 MeV γ-irradia......
Optical and electronic properties of single modulation doped GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wire modi
Single GaAs/Al0.5Ga0.5As V-grooved quantum wire modified by selective ion-implantation and rapid thermally annealing was......
对纯镍及其表面离子注镧样品在900℃空气中的恒温氧化规律进行了研究.采用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对NiO膜的微......
The photorefractive effects of the as-grown and proton-implanted KNbO3 crystals were studied by two-wave mixing at 62.2 ......
...
Isothermal and cyclic oxidation behaviors of pure and yttrium-implanted nickel were studied at 1000℃ in air. The oxide ......
Isothermal and cyclic oxidation behaviors of pure and yttrium-implanted nickel were studied at 1000 ℃ in air.SEM and TE......
Silver foils and ion-implanted silver foils exposed to atomic oxygen (AO) generated in a ground simulation facility were......
Optical and electronic properties of single modulation doped GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wire modi
Single GaAs/Al0.5Ga0.5As V-grooved quantum wire modified by selective ion-implantation and rapid thermally annealing was......
沉积在云母片上的纯Ｃ６０薄膜受２０ｋｅＶ的Ｌｉ＋和Ｎ＋２离子轰击，剂量在０．５×１０１６／ｃｍ２～５．０×１０１６／ｃｍ２之间改变，测量了离子注入后Ｃ６０薄膜方块电阻随温度的变化，进而推导出Ｃ６０薄膜电导......
以野生型苹果酒酵母菌Y02为出发菌株,以8×1015 cm-2注入剂量对出发菌株Y02进行诱变处理,得到1株形态特征具有明显差别的特异......
对单晶硅片〈111〉进行了注入剂量为2×10^16ions·cm^-2、注入能量分别为60keV和80keV的碳离子注入，采用X射线衍射仪研究......
综述了目前锆合金表面改性方面研究的进展状况.主要对表面预膜、离子注入和激光表面处理等3种方法进行总结.其中表面预膜主要简介......
木聚糖酶产生菌株的初筛方法主要分为平板法和液体发酵法.它们都有一定的优点和不足.找出适宜于离子束诱变育种的初筛方法,是必要......
本文通过采用离子注入技术对铝表面进行强化处理,研究了各种不同N+离子的注入剂量与表面硬度的关系,从而确定离子注入表面处理的最......
The sharp luminescent peaks in Yb and Er-implanted InP,SI-InP,GaAs,and n-GaAs were observed at77K.The peaks at 1.0 and 1......
对Ti6A14V合金进行温度范围从100℃到600℃，注入剂量为：4×10^17ions.cm^-2氮离子等离子体源离子注入（N－PSⅡ）。用俄歇电子能谱仪（AE......
以微机电系统常用的单晶硅材料和经氮离子注入单晶硅后形成的表面改性层为研究对象，在原位纳米力学测试系统上进行微压痕实验，对样品......
利用离子注入技术对单晶硅片表面进行碳离子注入,用原位纳米力学测试系统对碳离子注入前后硅片的纳米硬度和弹性模量进行测定,在UM......
本文在Ｌｉ２Ｏ－Ｌａ２Ｏ３－Ｔａ２Ｏ５－ＳｉＯ２系统电极玻璃中注入５０ｋｅＶ，剂量分别为５×１０＾６，１×１０＾１７，２×１０＾１７ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２的Ｔａ＾＋离子，测定了注入前后电导率Ｔｋ－１００的变化，计算了活化能，结果表明，Ｔａ离子注放后，随剂量......
对纯镍及其表面离子注镧样品在900℃空气中的恒温氧化规律进行研究.用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对NiO膜的微观形貌和......
本文从半导体材料GaAs的能级结构出发，探讨了GaAs做固体激光器被动调Q器件的可行性，对离子注入半绝缘GaAs用做Nd：YAG激光器中被动调Q......
利用离子注入技术，分别采用单能量和多能量叠加注入方式在铀表面注入碳形成表面改性层，并对改性层的形貌、注入元素的分布和相结构分......
玻璃中注入金属离子导致在基底玻璃薄层中纳米金属族和纳米化合物的形成。此纳米粒子的存在和尺寸大小与基底玻璃的成分，注入离子类......
综述了ＧａＮ材料中离子注入的研究进展，重点介绍了离子注入技术在ＧａＮ材料中的发光（ＰＬ，ＥＬ，ＣＬ）研究，注入隔离ｐ－ｇａｊｆ／ｎ－型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。......
用热重分析及ＳＥＭ和ＸＲＤ等技术研究了离子注入１×１０＾１５，１×１０＾１６，１×１０＾１７Ｙ＾＋／ｃｍ＾２对Ｎｉ－１５Ｃｒ－６Ｃｌ合金渗铝层高温氧化行为，氧化膜形貌，相结构等的影响，注入这三种剂量的Ｙ＾＋对渗......
对纯镍及其表面离子注钇样品在1000℃空气中的恒温氧化和循环氧化行为进行了研究。用扫描电镜和透射电镜对表面氧化膜的微观形貌进......
采用脉冲磁过滤阴极真空弧源沉积系统(FCVA)在单晶硅基片上制备了含氟量不同的一系列氟化类金刚石膜(a-C:F).重点研究了氟掺杂对非......
在以氢先氦后的顺序注入的硅样品中，经不同温度的退火，发现比氢、氦分别单独注入时小得多的注入剂量足以使硅样品表面产生砂眼及了。......
Isothermal and cyclic oxidation behaviors of pure and yttrium-implanted nickel were studied at 1000℃ in air. The oxide ......
用离子注入，氧化和慢正电子束分析研究了ＧＨ９０３合金的氧化性能的改善与微观作用机理，注入的Ｃｒ＾＋，Ｙ＾＋的能量均为６０ｋｅＶ，注入的剂量分别为１×１０＾１７．ｃｍ＾－２（Ｃｒ＾＋），１×１０＾１５．ｃｍ＾－２（Ｙ＾＋）和（１......
利用离子注入技术将Ａｒ离子注入到ＹＩＧ单晶薄膜中，剂量为（１０＾１２￣１０＾１４）ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２，能量为６００ｋｅＶ。分别测量注入前后及退火后的样品的光吸收谱、法拉弟旋转和折射率，发现对样......
利用离子注入技术在硅片表面制备了不同Ｅｒ＾３＋注入剂量的Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品，研究了电化学过程对Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品中Ｅｒ＾３＋发光的影响。样品低温红外光致发光实验证明：电化学......
利用７７Ｋ红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品的光致发光影响。实验表明：电化学过程除在Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品硅基质晶体中引入大量的深能级......
